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JR0805K-TR - 广晟微半导体一级代理
  • JR0805K-TR 产品缩略图
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JIEJIE MICROELECTRONICS 一级代理 单向可控硅 JR0805K-TR

型号:
JR0805K-TR
制造商:
JIEJIE MICROELECTRONICS
关键字:
JR0805K-TR, 单向可控硅, TO-252贴片SCR, 8A可控硅, 门极带阻, 捷捷微, 一级代理
描述:
JR0805K-TR是捷捷微(JIEJIE)600V/8A灵敏型单向可控硅,内置门极电阻(10~80kΩ),IGT≤200μA,TO-252(DPAK)封装,适用于直发器、点火器、负离子发生器等小家电。广晟微现货供应,支持样品申请与全套技术支持。
库存:
2500 只
PDF:
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询价数量:
器件类型 : 门极带阻灵敏型单向可控硅(SCR,G-K 内置电阻 RGK=10~80kΩ)
型号 : JR0805K
封装 : TO-252
环保标准 : RoHS 合规
适用场景 : 直发器、点火器、负离子发生器等
丝印标识 : JR0805K + 生产年月编码
文档版本 : Rev.A.1.1(2025.10.22 更新)
原厂 : 江苏捷捷微电子股份有限公司
代理 / 销售 : 广晟微半导体 (深圳) 有限公司
通态有效值电流 IT (RMS) : 8A
断态重复峰值电压 VDRM / 反向重复峰值电压 VRRM : 600V
门极触发电流 IGT : ≤200μA
存储结温范围 Tstg : -40 ~ 150 ℃
工作结温 Tj : -40 ~ 125 ℃(G-K 外接≤1kΩ 电阻;无外置电阻仅 110℃)
通态平均电流 IT (AV)(壳温≤76℃) : 5A
通态有效值电流 IT (RMS)(壳温≤76℃) : 8A
不重复浪涌峰值通态电流 ITSM(10ms,25℃) : 80A
不重复浪涌峰值通态电流 ITSM(8.3ms,25℃) : 88A
熔断 I²t 值(10ms,25℃) : 32A²·s
通态电流临界上升率 dI/dt : 50A/μs(IG=2×IGT,100Hz,Tj=125℃)
峰值门极电流 IGM : 4A(脉冲 20μs,125℃)
平均门极功耗 PG (AV) : 1W(Tj=125℃)
峰值门极功耗 PGM : 5W
非重复断态峰值脉冲电压 Vpp : 0.5kV(Tj=25℃)
通态峰值压降 VTM : 1.55 V(ITM=16A,tp=380μs,Tj=25℃)
阈值电压 VTO : 0.79 V(Tj=125℃)
动态电阻 RD : 0.02 Ω( Tj=125℃)
断态漏电流 IDRM (Tj=25℃) : 5μA (VD=VDRM,VR=VRRM)
反向漏电流 IRRM (Tj=125℃) : 0.5mA(VD=VDRM,VR=VRRM)
结到壳直流热阻 Rth (j-c) : 4.5 ℃/W
结到环境直流热阻 Rth (j-a) : 120 ℃/W
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